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2D晶体进行创新研究

这些单晶为您提供令人兴奋的机会来制作自己的2D材料

  • 将样品提供在氧化硅衬底上
  • 提供X,Y坐标
  • 包括显微模数以辅助剥落识别
  • 所有薄片的最小面积为10μm2用单层厚度

目前提供的2D水晶

钼二硫化物,mos2

二硫化钼是一种过渡金属二巯基甲胺,具有1.3eV的间接带隙。其相当大的带隙使其成为电子和光电子中的应用。

二氧化钼的单晶显示大小的大小尺寸> 1mm。

钼五硒,莫斯德2

钼五烯醇也是过渡金属二硫代甲胺。举办2作为间接半导体,随着层厚度降低到原子极限,具有直接带隙的热驱动的交叉。

六边形氮化物,HBN

六边形氮化硼是绝缘层状材料,具有大小5eV的大带隙。HBN可用作高质量的原子薄电介质,以及用于等离子体装置的平台。

钨二硫化物,WS2

钨二酮是一个间接半导体,带隙约为1.6eV。在单层状态下,带隙的直接直接为2.1eV,从而显示出强烈的光致发光。WS.2随着其高电子迁移率而容易用于电子应用。

钨蛋白,韦斯德2

钨蛋白质在红外区域有带隙;因此,它用于需要尖锐和高质量的光学性质的应用。

Tungsten Ditelluride,WTE2

已经广泛地研究了钨DitellUride的相对较大的非饱和磁阻,其已报道自然

黑磷(磷烯)

黑色磷烯是石墨烯之后被分离的第二2D材料和特征。由于其高流动性,它在电子行业中具有潜在的应用,达到1000厘米2/ vs。

硒化镓,Gase

硒化镓是具有带隙约2eV的半导体。Gase具有具有强光致发光的直接带隙,并用于光电器件。

石墨石墨.

石墨烯使用石墨石墨,一种特殊的HOPG型石墨,具有薄片尺寸的鳞片尺寸。

砷硫化物,如2S.3.

砷是一种具有意外特性的半导体和大小约为2.5eV的预期带隙。

支持和建议

188金博宝aGoodfellow可以支持2D晶体的剥离并用沉积在氧化的硅基衬底上。将所有样品在氧化硅衬底上供应,并配有(X,Y)坐标,以及各种放大的微观数以辅助剥落识别。所有薄片的最小面积为10μm2用单层厚度。

想要查询更多的信息, 称呼0800 731 4653(英国)或+44 1480 424 800或电子邮件info@188金博宝agoodfellow.com.

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